[发明专利]制备失效分析样品的方法有效
申请号: | 201010275159.6 | 申请日: | 2010-09-02 |
公开(公告)号: | CN102384867A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 虞勤琴;史燕萍;朱敏;王玉科 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制备失效分析样品的方法,包括:提供样品,所述样品包括待分析结构,所述样品具有第一表面,所述第一表面暴露出待分析结构;在所述第一表面上形成第一预定厚度的重金属层;在形成第一预定厚度的重金属层后,将所述样品一分为二,选择其中之一作为待分析样品,所述待分析样品具有与所述第一表面相邻的第二表面,所述第二表面暴露出所述待分析结构;在所述待分析样品的第二表面上形成第二预定厚度的重金属层;所述重金属层的材料选自金、铂或者铬。在对该方法制备的样品进行失效分析时,基本能消除引起低介电常数材料、超低介电常数材料引起变形的因素,可以保持样品原状,提供有效的分析数据。 | ||
搜索关键词: | 制备 失效 分析 样品 方法 | ||
【主权项】:
一种制备失效分析样品的方法,其特征在于包括:提供样品,所述样品包括待分析结构,所述样品具有第一表面,所述第一表面暴露出所述待分析结构;在所述第一表面上形成第一预定厚度的重金属层;在形成第一预定厚度的重金属层后,将所述样品一分为二,选择其中之一作为待分析样品,所述待分析样品具有与所述第一表面相邻的第二表面,所述第二表面暴露出所述待分析结构;在所述待分析样品的第二表面上形成第二预定厚度的重金属层;所述重金属层的材料选自金、铂或者铬。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010275159.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。