[发明专利]无模板电化学沉积制备Te纳米棒阵列的方法有效
| 申请号： | 201010275357.2 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101928971A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 佘广为;师文生;李述汤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C30B30/02;C30B29/16;C30B29/62 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及无模板电化学沉积大面积制备Te纳米棒阵列的方法。本发明以Te的化合物和氨水为主要原料，室温下配制成水溶液。电化学沉积过程在标准三电极体系中进行，通过水浴维持反应体系恒定温度，给工作电极施加一定的电压，反应一定时间后即可在工作电极上得到Te纳米棒阵列。本发明的Te纳米棒为三角结构单晶，沿[001]晶向生长。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 电化学 沉积 制备 te 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种无模板电化学沉积制备Te纳米棒阵列的方法，其特征是，该方法包括以下步骤：1)电解质溶液的配制：室温下将Te的化合物、氨水和去离子水混合，搅拌使Te的化合物充分溶解，得到电解质溶液，将电解质溶液倒入电解池中；2)恒电位电化学沉积：电沉积过程在有工作电极、对电极和参比电极的标准三电极体系中进行，用水浴维持步骤1)电解质溶液的温度为23～85℃，给电解池中的工作电极施加相对于参比电极为 0.6～ 1.2V的电位进行反应，在工作电极上得到Te纳米棒阵列。
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