[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、图像显示装置和电子设备无效
| 申请号： | 201010275592.X | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102025109A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 内藤宏树;小山享宏;小嵨健介;小林新;奥山浩之;大金诚;河角孝行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体发光器件及其制造方法和图像显示装置。该半导体发光器件包括：第一化合物半导体层；活性层，它位于所述第一化合物半导体层上；第二化合物半导体层，它位于所述活性层上，并且包括从所述活性层侧依次布置的覆层和接触层；以及位于所述接触层上的电极。其中，所述接触层小于所述覆层。该半导体发光器件制造方法包括如下步骤：形成第一化合物半导体层；在所述第一化合物半导体层上形成活性层；在所述活性层上形成第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层包括从所述活性层侧依次布置的覆层和接触层；以及在所述接触层上形成电极。其中，所述接触层小于所述覆层。本发明能够提高发光效率并降低驱动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 图像 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，其包括：第一化合物半导体层；活性层，它位于所述第一化合物半导体层上；第二化合物半导体层，它位于所述活性层上，并且包括从所述活性层侧依次布置的覆层和接触层；以及电极，它位于所述接触层上，其中，所述接触层小于所述覆层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010275592.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
