[发明专利]具有双向击穿防护功能的低电压过电压抑制器及制造方法无效
| 申请号： | 201010275636.9 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102013436A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/328;H01L21/22 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 毛依星 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有双向击穿防护功能的低压过电压抑制装置及制造方法。本发明的具有双向击穿防护功能的低电压过电压抑制器，包括：具有n+类型载流子的下部半导体层；具有n+类型载流子的上部半导体层；及排布在所述下部半导体层与上部半导体层之间，具有形成下部p-n接合面及上部n-p接合面的P类型载流子的中间半导体层；所述上部半导体层是将中间半导体层上的杂质通过杂质扩散工序添加掺杂而形成，并提供具有双向击穿防护功能的低电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双向 击穿 防护 功能 电压 过电压 抑制器 制造 方法 | ||
【主权项】：
具有双向击穿防护功能的低电压过电压抑制器，设有：具有n+类型载流子的下部半导体层；具有n+类型载流子的上部半导体层；及排布在所述下部半导体层与上部半导体层之间，具有形成下部p‑n接合面及上部n‑p接合面的P类型载流子的中间半导体层；其特征是，所述上部半导体层是通过在中间半导体层上进行杂质扩散工序添加掺杂而形成。
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