[发明专利]一种估算集成电路辐照效应的方法无效
| 申请号： | 201010275725.3 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101923596A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 薛守斌;王思浩;谭斐;安霞;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法，属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤：A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式：Qtrap∝δT2STID，其中Qtrap是STI中俘获的电荷，TSTI寄生晶体管有效的栅氧厚度，D是辐照剂量，δ为拟合系数，得到寄生晶体管的漏电流，从而估算出整个集成电路的辐照效应。本发明可通过电路仿真，预测辐照损伤对集成电路的影响，同时也可以预测电路的敏感节点，进而为电路的抗辐照加固技术给予指导，并且可以降低实验成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 估算 集成电路 辐照 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路辐照效应的估算方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；b)利用陷阱电荷数与总剂量的关系式：Qtrap∝δT2STID，其中Qtrap是STI中俘获的电荷，TSTI寄生晶体管有效的栅氧厚度，D是辐照的剂量，δ为拟合系数，得到寄生晶体管的漏电流，从而估算出整个集成电路的辐照效应。
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