[发明专利]制作一集成电路的方法有效
| 申请号： | 201010276435.0 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102005366A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 应用于金属氧化物半导体场效应晶体管的定功率密度缩放方法，用以制作一集成电路。该方法包括：针对一第一工艺计算定值缩放参数，其中计算基于一第二工艺；为了以该第一工艺制作该集成电路，计算出可设定缩放参数；基于上述可设定缩放参数决定该集成电路的参数；以及，采用该集成电路决定好的上述参数制作该集成电路。与该第二工艺相较，该第一工艺所制作的装置的元件尺寸较小。此外，上述可设定缩放参数基于上述定值参数而设定。本发明可得到近似定值的功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
一种制作一集成电路的方法，包括：基于一第二工艺，针对于一第一工艺计算出定值缩放参数，其中，与该第二工艺相较，该第一工艺所制成的装置的元件尺寸较小；计算该第一工艺制作该集成电路时所需的可设定缩放参数，其中上述可设定缩放参数基于上述定值缩放参数而设定；基于上述可设定缩放参数决定该集成电路的参数；以及采用所决定的关于该集成电路的上述参数，制作该集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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