[发明专利]阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法

摘要

一种阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，先制备一同指向型硅基板，并在同指向型硅基板的表面溅镀出一镀钛金属层以形成一镀钛硅基板。接着，依序对镀钛硅基板一真空热处理作业与一退火热处理作业，使镀钛金属层转变成一介在相钛金属层。然后，对介在相钛金属层进行一阳极处理作业，以使介在相钛金属层转变成阵列纳米管型太阳能电池薄膜，使其表面具有多个以一密集阵列排列的二氧化钛(TiO2)纳米管。最后，施加一逆向电压，使阵列纳米管型太阳能电池薄膜自同指向型硅基板脱离。本发明可使阵列纳米管型太阳能电池薄膜表面的二氧化钛与光敏染料之间具有较大的接触面积，以提升太阳能电池的光电转换效率，进而更有效率地获得可供人类利用的电能。

主权项

一种阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：(a)制备一同指向型硅基板；(b)在该同指向型硅基板的表面溅镀出一镀钛金属层以形成一镀钛硅基板；(c)将该镀钛硅基板放置于一真空热处理环境中进行一真空热处理作业，借以消除该镀钛金属层与该同指向型硅基板间的残留应力；(d)将该镀钛硅基板放置于一退火热处理环境中进行一退火热处理作业，借以使该镀钛金属层转变成一介在相钛金属层；(e)对该介在相钛金属层进行一阳极处理作业，借以使该介在相钛金属层转变成该阵列纳米管型太阳能电池薄膜，且该阵列纳米管型太阳能电池薄膜的表面具有多个以一密集阵列排列的二氧化钛(TiO2)纳米管；以及(f)施加一逆向电压，使该阵列纳米管型太阳能电池薄膜自该同指向型硅基板脱离。