[发明专利]锗硅异质结双极晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201010277649.X | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102403222A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;陈雄斌;周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，在发射区形成后，采用进行带角度的外基区离子注入工艺对基区进行离子注入，所述外基区离子注入的注入离子为硼离子、注入剂量1e15cm-2～1e16cm-2、注入能量5KeV～30KeV、注入角度为5度～30度。所述外基区离子注入的注入角度能使在处于所述发射区和所述基区的接触区域外的所述基区中都掺入硼杂质。本发明无需对器件尺寸进行缩减就能进一步降低器件的基区电阻并提高器件的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅异质结 双极晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于：发射区形成后，采用进行带角度的外基区离子注入工艺对基区进行离子注入，所述外基区离子注入的注入离子为硼离子、注入剂量1e15cm‑2～1e16cm‑2、注入能量5KeV～30KeV、注入角度为5度～30度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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