[发明专利]载置台结构和处理装置无效
| 申请号： | 201010277922.9 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102013408A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 田中澄 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够防止载置台产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损的载置台结构和处理装置。该载置台结构设置在处理容器内，用于载置要处理的被处理体，包括：由电介质形成的载置台，其载置并支承被处理体，并且设置有加热被处理体的加热机构；多个保护支柱管，其从处理容器的底部侧立起设置，上端部与载置台的下表面接合，并且下端部开放；加热器供电棒，其插通保护支柱管内，并且上端部与加热机构连接；吹扫气体流通用气密室，其设置在处理容器的底部侧，并且与保护支柱管内连通；和惰性气体供给机构，其向吹扫气体流通用气密室内供给惰性气体。由此，能够防止载置台产生较大的热应力，防止该载置台自身发生破损。 | ||
| 搜索关键词： | 载置台 结构 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种载置台结构，其设置在能够排气的处理容器内，用于载置要处理的被处理体，该载置台结构的特征在于，包括：由电介质形成的载置台，其载置并支承所述被处理体，并且设置有加热所述被处理体的加热机构；多个保护支柱管，其从所述处理容器的底部侧立起设置，上端部与所述载置台的下表面接合，并且下端部开放；加热器供电棒，其插通于所述保护支柱管内，并且上端部与所述加热机构连接；吹扫气体流通用气密室，其设置在所述处理容器的底部侧，并且与所述保护支柱管内连通；和惰性气体供给机构，其向所述吹扫气体流通用气密室内供给惰性气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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