[发明专利]光学存储介质有效
| 申请号： | 201010277928.6 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102013261A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·费里;盖尔·皮拉德 | 申请（专利权）人： | 汤姆森特许公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 吕晓章 |
| 地址： | 法国伊西*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光学存储介质。该光学存储介质包括：衬底层(52)；具有凹坑结构的只读数据层(52a)，设置在衬底层(52)上；以及具有超分辨率结构的非线性层(54，56)，设置在数据层(52a)之上。该超分辨率结构包括半导体材料和电介质材料(55)的粒状杂质，其中该半导体材料在用激光束照射时具有增大的反射率，并且其中该电介质材料(55)布置为具有5nm以下的厚度的电介质层(55)。电介质材料有利地由布置在第一和第二非线性层(54，56)之间的氮化物材料例如GeN的不均匀层构成。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种光学存储介质，包括：衬底层(52)；具有凹坑结构的只读数据层(52a)，设置在该衬底层(52)上；覆盖层(58)；以及具有超分辨率结构的非线性层，设置在该数据层(52a)与该覆盖层(58)之间，该超分辨率结构包括半导体材料和电介质材料(55)的粒状杂质，其中该半导体材料在用激光束照射时具有增大的反射率，并且其中该电介质材料(55)布置为具有5nm以下的厚度的电介质层(55)。
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