[发明专利]一种制备高电阻率硅晶片的方法有效
| 申请号： | 201010278602.5 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101935873A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;曼纽尔 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤：首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为200-1000ohm-cm的P型硅结构；其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧热施主，使得所述硅结构中的部分或全部空穴被抵消。本发明方法首先提供掺杂浓度为中等、电阻率并不是很高的p型晶片，然后对其进行热处理，通过控制热处理过程的时间使得热处理过程不会产生过多的氧热施主，由于先前提供的晶片的掺杂浓度为中等，因此对于p型晶片，产生的适当氧热施主会使晶片中部分或全部受体空穴产生抵消，从而可使晶片的电阻率显著地上升。通过本发明方法可得的电阻率高达1000ohm-cm以上的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 电阻率 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤：首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为200‑1000ohm‑cm的P型硅结构；其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧热施主，使得所述硅结构中的一部分或全部空穴被抵消。
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