[发明专利]外延薄膜厚度测量方法无效
| 申请号： | 201010278636.4 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102005401A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李秀然;李春雷 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延薄膜厚度测量方法。该外延薄膜厚度测量方法包括：参考薄膜形成步骤，用于在晶圆的衬底上直接形成具有图案的参考薄膜；外延薄膜形成步骤，用于在晶圆的衬底上的形成有参考薄膜的区域之外的其它区域直接形成外延薄膜；以及测量步骤，用于根据参考薄膜来测量外延薄膜的厚度。根据本发明的外延薄膜厚度测量方法通过提供一个同样形成在晶圆衬底上的参考薄膜来作为参照，从而能够简单快速地以高精度测量出外延薄膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 薄膜 厚度 测量方法 | ||
【主权项】：
一种外延薄膜厚度测量方法，其特征在于包括：参考薄膜形成步骤，用于在晶圆的衬底上直接形成具有图案的参考薄膜；外延薄膜形成步骤，用于在晶圆的衬底上的形成有参考薄膜的区域之外的其它区域直接形成外延薄膜；以及外延薄膜测量步骤，用于根据参考薄膜来测量外延薄膜的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
