[发明专利]微电子机械系统微桥结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010278684.3 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101962165A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 袁超;康晓旭;李佳青;池积光 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出微电子机械系统微桥结构及其制造方法，该结构，包括：半导体衬底；金属层，其间隔设置于所述半导体衬底上，形成图形化的凹槽；介质层，设置于所述金属层之间的图形化凹槽中；缓冲层，设置于所述金属层和介质层上；牺牲层，设置于所述缓冲层上。本发明提供一种应用于MEMS微桥结构牺牲层的非晶硅工艺集成方案，通过在金属层和牺牲层之间增加缓冲层，不仅可以解决牺牲层与相邻材料的接触问题，同时可以作为非晶硅的刻蚀终止层及非晶硅和金属铝之间的扩散阻挡层，从而提高产品的可靠性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 机械 系统 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子机械系统微桥结构，其特征在于，包括：半导体衬底；金属层，其间隔设置于所述半导体衬底上，形成图形化的凹槽；介质层，设置于所述金属层之间的图形化凹槽中；缓冲层，设置于所述金属层和介质层上；牺牲层，设置于所述缓冲层上。
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