[发明专利]制造半导体器件的方法和掩模无效
| 申请号： | 201010279145.1 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102024698A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 别宫史浩 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件的方法和掩模。在保护绝缘膜上形成感光性树脂膜。接着，通过对所述感光性树脂膜进行曝光和显影，沿着第一直线、在所述保护绝缘膜上形成多个凸块核心。接着，通过在多个凸块核心、多个电极焊盘和保护绝缘膜上选择性地形成导电膜，来形成多个凸块和多个互连，所述多个互连将所述多个凸块中的每个连接到所述电极焊盘中的任一个。在形成多个凸块核心的步骤中，通过使用多等级掩模只一次性将感光性树脂曝光，在凸块核心的侧面上的与互连接壤的区域被形成为具有比与所述第一直线相交的区域的坡度更缓的坡度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在基板中形成多个电极焊盘；在所述多个电极焊盘中和所述多个电极焊盘的外周，形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有位于每个所述电极焊盘上方的多个开口；在所述保护绝缘膜上方形成感光性树脂膜；通过对所述感光性树脂膜进行曝光和显影，沿着第一直线、在所述保护绝缘膜上方形成多个凸块核心；以及通过在所述多个凸块核心、所述多个电极焊盘和所述保护绝缘膜上方选择性地形成导电膜，来形成多个凸块以及多个互连，所述多个互连将所述多个凸块中的每个连接到所述电极焊盘中的任一个，其中，在形成所述多个凸块核心的所述步骤中，通过使用多等级掩模只一次性将所述感光性树脂曝光，使得在所述凸块核心的侧面上的与所述互连接壤的区域被形成为具有比与所述第一直线相交的区域更缓的坡度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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