[发明专利]P型硅衬底背面金属化的制作方法无效
| 申请号： | 201010279777.8 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101950737A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 王英杰;韩非;孔建峰;王平;范伟宏 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供的P型硅衬底背面金属化的制作方法包括如下步骤：(1)在芯片减薄后，在背面蒸发一层Al薄层；(2)在Al薄层上依次蒸发金属Ni和金属Ag；(3)进行一次350℃～450℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时，使三价铝掺入硅中，形成表面掺铝硅层，提高衬底硅表面P型杂质浓度，降低P型衬底硅与背面金属的接触电阻。本发明优点在于有效地降低芯片的背面接触电阻，降低器件的耗散功率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 背面 金属化 制作方法 | ||
【主权项】：
P型硅衬底背面金属化的制作方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在芯片减薄后，在背面蒸发一层Al薄层；(2)在Al层上依次蒸发金属Ni和金属Ag；(3)进行一次350℃~450℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时，使三价铝掺入硅中，形成表面掺铝硅层。
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