[发明专利]一种铜制程等离子刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010280097.8 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403219A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;刘志强;黄智林 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜制程等离子刻蚀方法，为解决刻蚀刻蚀过程中铜原子被溅射出来暴露到反应腔引起刻蚀速率偏移的问题。在刻蚀含硅绝缘层直到露出下层的铜的过程中，本发明的刻蚀方法在刻蚀过程中保持原有刻蚀气体流量的同时提高含氧气体的流量。提高了氧气和刻蚀气体的混合比后，暴露在反应腔内的铜引起的刻蚀速率偏移问题被抑制，更易于获得长期、均一、稳定的加工效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜制 等离子 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种铜制程等离子刻蚀方法，包括：放置基片到等离子反应腔的基座，其中基片上包括含铜材料层和覆盖在含铜材料层上的含硅绝缘层，含硅绝缘层上覆盖有图形化的掩膜层；通过供气装置向反应腔供应刻蚀气体和氧化性气体并对含硅绝缘层进行刻蚀；侦测到含铜材料层暴露时停止刻蚀，其中氧化性气体的气体流量大于刻蚀气体流量的3/10。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
