[发明专利]一种高阻值金属氧化膜电阻及其制作方法无效
| 申请号： | 201010280534.6 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102013294A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李稳根;温启源;何刚 | 申请（专利权）人： | 东莞市福德电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/18 | 分类号： | H01C7/18;H01C17/00;H01C17/12 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子元件以及半导体技术领域，特指一种高阻值金属氧化膜电阻及其制作方法，所述高阻值金属氧化膜电阻包括一陶瓷基体、形成在所述陶瓷基体上的皮膜、位于陶瓷基体两端的铁帽以及引线，所述皮膜包括内层皮膜和外层皮膜，其中内层皮膜由靶材通过真空直流溅射形成，外层皮膜由靶材通过离子电源加射频溅射形成。本发明可制得独特的双层膜结构电阻体，外层皮膜实际上是一层致密的金属氧化膜，对内层皮膜起到很好的保护作用，避免其被进一步氧化；同时内层皮膜与外层皮膜之间形成并联关系，能使电阻器的阻值获得更大的可调节范围；因此，本发明制成的金属氧化膜电阻器性能稳定，精密度高，阻值可超过100KΩ，高达3.9兆欧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻值 金属 氧化 电阻 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高阻值金属氧化膜电阻，包括一陶瓷基体(1)、形成在所述陶瓷基体(1)上的皮膜(2)、位于陶瓷基体(1)两端的铁帽(3)以及引线(4)，其特征在于：所述皮膜(2)包括内层皮膜(21)和外层皮膜(22)，其中内层皮膜(21)由靶材通过真空直流溅射形成，外层皮膜(22)由靶材通过离子电源加射频溅射形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市福德电子有限公司，未经东莞市福德电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010280534.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
