[发明专利]陶瓷先驱体聚碳硅烷的合成方法在审

专利信息
申请号: 201010280826.X 申请日: 2010-09-14
公开(公告)号: CN102002164A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 张卫中;田秀梅;吕斌 申请(专利权)人: 张卫中;田秀梅;吕斌
主分类号: C08G77/60 分类号: C08G77/60;C07F7/21;C04B35/565
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215007 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种陶瓷先驱体聚碳硅烷的合成方法,其特征在于所述方法包括以环硅烷为原料在惰性气体或氮气保护下在350~500℃温度下裂解后经分子重排形成聚碳硅烷的步骤。该方法整个反应温度产物结构易控制,产物PCS中碱金属含量低,同时实验在常压下进行反应,不需要高压设备或添加催化剂,设备简单,易行。
搜索关键词: 陶瓷 先驱 体聚碳 硅烷 合成 方法
【主权项】:
一种陶瓷先驱体聚碳硅烷的合成方法,其特征在于所述方法包括以环硅烷为原料在惰性气体或氮气保护下在350~500℃温度下裂解后经分子重排形成聚碳硅烷的步骤。
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