[发明专利]晶片的加工方法

摘要

本发明提供一种晶片的加工方法，其能在不对形成于基板表面的器件层造成破坏的情况下在基板内部沿间隔道形成变质层。该晶片的加工方法在晶片内部沿间隔道形成变质层的晶片的加工方法，其包括：第一变质层形成工序，将聚光点定位于基板内部，从基板背面侧照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，沿间隔道形成第一变质层；以及第二变质层形成工序，将聚光点定位于第一变质层的上侧，从基板背面侧照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，沿间隔道以层叠于第一变质层的方式形成第二变质层，第一变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度设定成比第二变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度要低、且处于能在基板中加工出变质层的下限附近。

主权项

一种晶片的加工方法，其是在晶片的内部沿间隔道形成变质层的晶片的加工方法，其中，所述晶片构成为：在基板的表面层叠有器件层，并且在通过形成为格子状的多条间隔道划分出的多个区域内形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法包括以下工序：第一变质层形成工序，在该第一变质层形成工序中，将聚光点定位于基板的内部，从基板的背面侧沿间隔道照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，由此在基板的内部沿间隔道形成第一变质层；以及第二变质层形成工序，在实施了所述第一变质层形成工序后，在该第二变质层形成工序中，将聚光点定位于所述第一变质层的上侧，从基板的背面侧沿间隔道照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，由此在基板的内部沿间隔道以层叠于所述第一变质层的方式形成第二变质层，所述第一变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度设定成：比所述第二变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度要低、而且处于能够在基板中加工出变质层的下限附近。