[发明专利]一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法无效
申请号: | 201010281144.0 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN101948299A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 曹林洪;智顺华;王宁会 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学 |
主分类号: | C04B35/04 | 分类号: | C04B35/04;C04B35/64 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 621010 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法,涉及电子材料。本发明包括下述步骤:A、以纳米级的片状高纯度的碱式碳酸镁为原料,700~1000℃高温煅烧得到纳米氧化镁粉体;B、将煅烧得到的纳米氧化镁粉体加压成型,得到氧化镁陶瓷素坯;C、氧化镁陶瓷素坯经过1℃/min~30℃/min的速率升温到设定的烧结温度;其中烧结温度为1300℃,保温烧结时间为180分钟。本发明采用合适的成型压力(800MPa)和合适的升温速率(10℃/min),通过无压烧结的方法制备出相对密度高达98.2%的致密氧化镁陶瓷。 | ||
搜索关键词: | 一种 致密 氧化镁 陶瓷 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法,其特征在于,包括下述步骤:A、以纳米级的片状高纯度的碱式碳酸镁为原料,700~1000℃高温煅烧得到纳米氧化镁粉体;B、将煅烧得到的纳米氧化镁粉体加压成型,得到氧化镁陶瓷素坯;C、氧化镁陶瓷素坯经过1℃/min~30℃/min的速率升温到设定的烧结温度;其中烧结温度为1300℃,保温烧结时间为180分钟。
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