[发明专利]金属氧化物半导体场效晶体管布局及结构无效
| 申请号： | 201010281515.5 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102403310A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 余仲哲;彭国伟;李立民 | 申请（专利权）人： | 登丰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属氧化物半导体场效晶体管布局及结构，其中金属氧化物半导体场效晶体管布局包含一漏极区、一栅极区、一源极区及一基极区。栅极区位于漏极区的外侧并邻接漏极区。源极区具多个源极区块，位于栅极区的外侧并邻接栅极区，源极区块之中任两相邻的源极区块之间有一源极空白区域。基极区具有至少两基极部，分别位于源极空白区域，并邻接栅极区。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 布局 结构 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效晶体管布局，其特征在于，包含：一漏极区；一栅极区，位于该漏极区的外侧并邻接该漏极区；一源极区，具多个源极区块，位于该栅极区的外侧并邻接该栅极区，该些源极区块之中任两相邻的源极区块之间有一源极空白区域；以及一基极区，具有至少两基极部，分别位于该些源极空白区域，并邻接该栅极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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