[发明专利]用于薄膜硅光电装置的硅烷的添加剂有效
申请号: | 201010281805.X | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN102024880A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | P·T·赫尔利;R·G·里德格威;K·A·哈奇森;J·G·兰甘 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/0392 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈文平;徐志明 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于薄膜硅光电装置的硅烷的添加剂。本发明的目的是使用化学添加剂来提高无定形硅薄膜(αSi:H)和/或微晶硅薄膜(μCSi:H)的淀积过程的速率,并且提高该淀积的薄膜用于制造薄膜基光伏(TFPV)装置的光电导膜的电流生成能力。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 光电 装置 硅烷 添加剂 | ||
【主权项】:
一种在基底上淀积作为光电导膜的太阳能级无定形硅薄膜(αSi:H)的方法,其使用甲硅烷;氢;和至少一种选自以下的添加剂:(a)更高级直链硅烷,包括:乙硅烷Si2H6、丙硅烷Si3H8、丁硅烷Si4H10、戊硅烷Si5H12、己硅烷Si6H14、庚硅烷Si7H16、辛硅烷Si8H18、壬硅烷Si9H20、癸硅烷Si10H22及其混合物;(b)更高级支链硅烷,包括:2‑甲硅烷基‑丙硅烷SiH3‑Si(H)(SiH3)‑SiH3、2,2‑二甲硅烷基‑丙硅烷SiH3‑Si(SiH3)2‑SiH3、2‑甲硅烷基‑丁硅烷SiH3‑Si(H)(SiH3)‑SiH2‑SiH3、2,3‑二甲硅烷基丁硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑SiH(SiH3)‑SiH3、2,2‑二甲硅烷基丁硅烷SiH3‑Si(SiH3)2‑SiH2‑SiH3、3‑甲硅烷基戊硅烷SiH3‑SiH2‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH3、2‑甲硅烷基戊硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH2‑SiH3、2,3‑二甲硅烷基戊硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH3、2,4‑二甲硅烷基戊硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH(SiH3)‑SiH3、2‑甲硅烷基己硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑(SiH2)3‑SiH3、3‑甲硅烷基己硅烷SiH3‑SiH2‑SiH(SiH3)‑(SiH2)2‑SiH3、2,2‑二甲硅烷基戊硅烷SiH3‑Si(SiH3)2‑(SiH2)2‑SiH3、3,3‑二甲硅烷基戊硅烷SiH3‑SiH2‑Si(SiH3)2‑SiH2‑SiH3、2,2,3‑三甲硅烷基丁硅烷SiH3‑Si(SiH3)2‑SiH(SiH3)‑SiH3、2‑甲硅烷基庚硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑(SiH2)4‑SiH3、3‑甲硅烷基庚硅烷SiH3‑SiH2‑SiH(SiH3)‑(SiH2)3‑SiH3、4‑甲硅烷基庚硅烷SiH3‑(SiH2)2‑SiH(SiH3)‑(SiH2)2‑SiH3、2,2‑二甲硅烷基己硅烷SiH3‑Si(SiH3)2‑(SiH2)3‑SiH3、2,3‑二甲硅烷基己硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑SiH(SiH3)‑(SiH2)2‑SiH3、2,4‑二甲硅烷基己硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH3、2,5‑二甲硅烷基己硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑(SiH2)2‑SiH(SiH3)‑SiH3、3,3‑二甲硅烷基己硅烷SiH3‑SiH2‑Si(SiH3)2‑(SiH2)2‑SiH3、3,4‑二甲硅烷基己硅烷SiH3‑SiH2‑SiH(SiH3)‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH3、2,2,3‑三甲硅烷基戊硅烷SiH3‑Si(SiH3)2‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH3、2,2,4‑三甲硅烷基戊硅烷SiH3‑Si(SiH3)2‑SiH2‑SiH(SiH3)‑SiH3、2,3,3‑三甲硅烷基戊硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑Si(SiH3)2‑SiH2‑SiH3、2,3,4‑三甲硅烷基戊硅烷SiH3‑SiH(SiH3)‑SiH(SiH3)‑SiH(SiH3)‑SiH3、2,2,3,3‑四甲硅烷基丁硅烷SiH3‑Si(SiH3)2‑Si(SiH3)2‑SiH3及其混合物;(c)环硅烷,选自:环丙硅烷Si3H6、环丁硅烷Si4H8、环戊硅烷Si5H10、环己硅烷Si6H10及其混合物;(d)甲硅烷基取代的环硅烷,选自:甲硅烷基环丁硅烷SiH3‑Si4H7、1,2‑二甲硅烷基环戊硅烷(SiH3)2‑Si5H8、甲硅烷基环己硅烷SiH3‑Si6H11、1,3‑二甲硅烷基环己硅烷(SiH3)2‑Si6H10及其混合物;(e)甲硅烷基取代的硅烯,选自:2‑丁硅烯SiH3‑SiH=SiH‑SiH3、2,3‑二甲硅烷基丁硅‑2‑烯SiH3‑Si(SiH3)=Si(SiH3)‑SiH3、2,3‑二甲硅烷基戊硅‑2‑烯SiH3‑Si(SiH3)=Si(SiH3)‑SiH2‑SiH3、2,5‑二甲硅烷基己硅‑2‑烯SiH3‑Si(SiH3)=SiH‑SiH2‑SiH(SiH3)‑SiH3、2,3,4‑三甲硅烷基己硅‑2‑烯SiH3‑Si(SiH3)=Si(SiH3)‑SiH(SiH3)‑SiH2‑SiH3及其混合物;(f)卤代硅烷,包括:1,1‑二氯乙硅烷SiHCl2SiH3、1,1,1,2‑四氟乙硅烷SiF3‑SiH2F、1,2‑二氯‑1,2‑二氟丁硅烷SiHClF‑SiClF‑SiH2‑SiH3、1,1,1‑三氯丙硅烷SiCl3‑SiH2‑SiH3、1,1‑二氟‑1,2,2‑三氯丙硅烷SiF2Cl‑SiCl2‑SiH3、氯代戊硅烷SiH2Cl‑(SiH2)3‑SiH3和通式为SiwH2w+2‑zXz的其他化合物,其中X=F、Cl、Br、I,w可为1‑20,且z可为1至2w+2;2‑氯丁硅‑2‑烯SiH3‑SiCl=SiH‑SiH3、1,1‑二氯‑2‑氟戊硅‑2‑烯SiHCl2‑SiF=SiH2‑SiH2‑SiH3、2,3‑二氯丁硅‑2‑烯SiH3‑SiCl=SiCl‑SiH3和通式为SiwH2w‑zX’z的其他化合物,其中X’=F、Cl、Br、I,w可为2‑20和z可为1至2w;及其混合物;和(g)卤代环硅烷,选自氯代环戊硅烷Si5H9Cl、十二氯环己硅烷Si6Cl12、1‑氯‑1‑氟环戊硅烷Si5H8FCl及其混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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