[发明专利]集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件无效
| 申请号： | 201010282581.4 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102005478A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王颖;胡海帆;杨晓冬;焦文利 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件。包括由漂移区101、漏区102、场氧化层103、栅电极104、沟道区105和源电极106构成的晶体管。源电极106延伸到漂移区101、并与漂移区101形成肖特基接触。本发明可在不牺牲器件耐压的前提下，减少栅增强UMOS晶体管结构器件的反向恢复时间。本发明与常规UMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基 整流器 增强 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件，包括由漂移区(101)、漏区(102)、场氧化层(103)、栅电极(104)、沟道区(105)和源电极(106)构成的晶体管，其特征是：源电极(106)延伸到漂移(101)、并与漂移区(101)形成肖特基接触。
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