[发明专利]膜沉积方法有效
申请号: | 201010282775.4 | 申请日: | 2010-09-10 |
公开(公告)号: | CN102021539A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 藤浪达也;高桥伸辅;藤绳淳;殿原浩二 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C14/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张成新 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种膜沉积方法,所述膜沉积方法在卷筒的周边表面周围的至少一个膜沉积室中将膜沉积在在圆筒形卷筒的周边表面上移动的条带形基板的表面上。所述方法包括下述步骤:预先在一个膜沉积室与包括缠绕空间的室之间设置差压室,所述缠绕空间包括基板开始在卷筒上移动的第一位置和基板与卷筒分离的第二位置中的至少一个,差压室与包括缠绕空间的室和至少一个膜沉积室连通;将缠绕空间的第一压力设置为低于至少一个膜沉积室的第二压力;以及利用供给至卷筒的电力,在至少一个膜沉积室中执行膜沉积。 | ||
搜索关键词: | 沉积 方法 | ||
【主权项】:
一种膜沉积方法,其中膜在至少一个膜沉积室中被沉积在在圆筒形卷筒的周边表面上移动的条带形基板的表面上,所述至少一个膜沉积室包括通过使用所述卷筒的周边表面限定的空间,所述方法包括下述步骤:预先在一个膜沉积室与包括缠绕空间的室之间设置差压室,所述缠绕空间包括所述基板开始在所述卷筒上移动的第一位置和所述基板与所述卷筒分离的第二位置中的至少一个,所述差压室与包括所述缠绕空间的所述室和所述至少一个膜沉积室连通;将所述缠绕空间的第一压力设置为低于所述至少一个膜沉积室的第二压力;以及利用供给至所述卷筒的电力,在所述至少一个膜沉积室中执行膜沉积。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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