[发明专利]一种硅片的硼铝共吸杂方法

摘要

本发明公开了一种硅片的铝硼共吸杂的方法，包括如下步骤：制备掺硼铝源，硅片清洗，利用丝网印刷或旋涂技术在硅片表面形成硼铝层，一步或多步退火，硅片表层去除。本发明利用了硼相对铝在硅中有较大固溶度的特点，在铝中掺入硼，利用铝和硅的合金化过程将硼掺入到硅背面的重掺层中，得到掺杂浓度很高的铝硼共吸杂层。本发明的铝硼共吸杂的方法，可以在相同退火温度下，形成更深、均匀、掺杂浓度更高的吸杂层；而且可以在较低的温度下达到其他工艺的吸杂效果，减少了高温对硅片性能的影响。本发明的铝硼共吸杂的方法具有成本低、易操作、吸杂效果好的特点，具有较大的应用前景。

主权项

一种硅片的硼铝共吸杂方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在铝浆中加入硼源，搅拌均匀，得到混合浆料；其中，硼元素在所述的混合浆料中的质量分数为0.01％‑8％；(2)将硅片用RCA液清洗，干燥；(3)在步骤(2)得到的硅片的两面丝网印刷或旋涂上由步骤(1)制得的混合浆料，烘干后在硅片表面形成硼铝层；(4)将步骤(3)得到的硅片在保护气体下在650～1000℃的退火温度下进行热处理，所述的保护气体为氮气、氩气、氧气或洁净干燥的空气；(5)将经步骤(4)热处理后的硅片用体积比为1∶0.05～1∶2的硝酸溶液和氢氟酸溶液的混合溶液浸泡不超过3min，并用去离子水清洗多次，烘干；其中，硝酸的质量百分比浓度为40‑65％，氢氟酸的质量百分比浓度为30‑40％。