[发明专利]金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法无效
| 申请号： | 201010284183.6 | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102403198A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法，属于集成电路制造技术领域。在金属栅层/高K栅介质层叠层结构刻蚀后，采用含有氢氟酸的混合溶液进行清洗，不仅可以完全去除栅叠层结构上留下的含有金属的聚合物残余，而且对于高K材料在干法刻蚀过程中部分去除的刻蚀策略，可以在清洗的过程中完全去除高K材料，从而更有利于满足纳米级CMOS器件在形成栅极图形时对Si衬底损失的要求。另外，因该溶液对场区SiO2的腐蚀速率较低，能够满足器件集成的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 介质 结构 刻蚀 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成高K栅介质层、金属栅层、多晶硅层和掩膜层；对所述掩膜层、多晶硅层、金栅属层和高K栅介质层进行刻蚀以形成栅极图案；采用包括氢氟酸的混合溶液对所述半导体衬底和栅极图案进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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