[发明专利]三维结构存储器有效
申请号: | 201010284280.5 | 申请日: | 1998-04-03 |
公开(公告)号: | CN102005453A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 格伦·J·利迪 | 申请(专利权)人: | 格伦·J·利迪 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/48;H01L27/108 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上,致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了,从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层,同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能,并且是用现有的半导体工艺技术实现的。 | ||
搜索关键词: | 三维 结构 存储器 | ||
【主权项】:
一种集成电路结构,包括:第一衬底,其包括具有互连接触的第一表面;基本上柔软的第二衬底,其包括第一表面和第二表面,所述第一表面和第二表面中的至少一个具有互连接触,其中所述第二表面与所述第一表面相对,并且其中所述第二衬底的第二表面被抛光;以及在所述第一衬底的所述第一表面与所述第二衬底的所述第一表面和所述第二衬底的所述第二表面中的所述一个的互连接触之间的导电路径;其中所述第一衬底的所述第一表面与所述第二衬底的所述第一表面和所述第二衬底的所述第二表面中的一个以叠层的关系键合,所述第一衬底至少覆盖所述第二衬底的主要部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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