[发明专利]动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法有效
| 申请号： | 201010284452.9 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102339797A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 小林平治;永井享浩 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，包括下列步骤。提供具有存储单元区的基底。于基底的存储单元区上形成多晶硅模板层。于多晶硅模板层上形成支撑层。形成穿过支撑层、多晶硅模板层的多个开孔。至少于开孔所暴露的多晶硅模板层上形成衬层(liner layer)。于基底上形成实质上共形的导电层。移除支撑层上的导电层，而形成多个电容器下电极。利用多晶硅模板层，可以制造出外型轮廓良好(侧向蚀刻少)的开孔，因此可以缩小元件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 电容器 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，包括：提供基底，该基底包括存储单元区；于该基底的该存储单元区上形成多晶硅模板层；于该多晶硅模板层上形成支撑层；形成穿过该支撑层、该多晶硅模板层的多个开孔；至少于该开孔所暴露的该多晶硅模板层上形成衬层；于该基底上形成实质上共形的导电层；以及移除该支撑层上的该导电层，从而形成多个电容器下电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
