[发明专利]具有高功函数电极的金属氧化物电阻基半导体存储器装置无效
| 申请号： | 201010284906.2 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102130294A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 简维志;陈逸舟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高功函数电极的金属氧化物电阻基半导体存储器装置。针对存储器装置或存储器单元提供不同观点，该存储器装置或存储器单元具有一金属氧化物存储器元件，是以电串联配置于沿着在至少一第一电极及一第二电极间的一电流路径，一金属氧化物存储器元件邻近于该第一电极。该第一电极包括具有一第一功函数的一电极材料。该金属氧化物存储器元件包括具有一第二功函数的一金属氧化物材料。该第一功函数大于该第二功函数。透过该存储器的该电流以热离子放射为特征。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 函数 电极 金属 氧化物 电阻 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其特征在于，包括：一金属氧化物存储器元件，是以电串联配置于沿着在至少一第一电极及一第二电极间的一电流路径，一金属氧化物存储器元件邻近于该第一电极，其中，该第一电极包括具有一第一功函数的一电极材料，该金属氧化物存储器元件包括具有一第二功函数的一金属氧化物材料，以及该第一功函数大于该第二功函数。
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