[发明专利]氢氧化镁六方晶体制备方法无效

专利信息
申请号: 201010284921.7 申请日: 2010-09-17
公开(公告)号: CN101935058A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 曹林洪;智顺华;王宁会 申请(专利权)人: 西南科技大学
主分类号: C01F5/22 分类号: C01F5/22
代理公司: 成都惠迪专利事务所 51215 代理人: 刘勋
地址: 621010 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 氢氧化镁六方晶体制备方法,涉及化工技术。本发明包括下述步骤:1)将硝酸镁置于氢氧化钠和氢氧化钾混合物中,氢氧化钠和氢氧化钾的质量比为25%∶75%~48.5%∶51.5%,硝酸镁与氢氧根的摩尔比为1∶262~2∶262;2)升温至160~200℃,使氢氧化钠和氢氧化钾成为熔融的液态,保持温度,在此条件下制备氢氧化镁晶体,生长时间为12~24小时;3)将生长好的晶体及其生长介质溶解、过滤、干燥,获得了形状规则的氢氧化镁六方晶体。本发明是以硝酸镁为原料,熔融的强碱为生长介质,通过一定的温度条件和时间生长出形状规则的氢氧化镁六方晶体,避开了传统方法需要加入络合剂或者表面活性剂的辅助,该晶体直径为4~10um,呈六方片状结构,粒径均匀,具有良好的分散性。
搜索关键词: 氢氧化镁 晶体 制备 方法
【主权项】:
氢氧化镁六方晶体制备方法,其特征在于,包括下述步骤:1)将硝酸镁置于氢氧化钠和氢氧化钾混合物中,氢氧化钠和氢氧化钾的质量比为25%∶75%~48.5%∶51.5%,硝酸镁与氢氧根的摩尔比为1∶262~2∶262;2)升温至160~200℃,使氢氧化钠和氢氧化钾成为熔融的液态,保持温度,在此条件下制备氢氧化镁晶体,生长时间为12~24小时;3)将生长好的晶体及其生长介质溶解、过滤、干燥,获得了形状规则的氢氧化镁六方晶体。
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