[发明专利]制备金属硅化物的方法

摘要

本发明公开了一种制备金属硅化物的方法，该方法在制备金属硅化物前，在所述器件区域上覆盖光阻，并利用氢氟酸与硝酸的混合溶液对所述半导体衬底边缘的氧化物及多晶硅进行湿法刻蚀，去除所述氧化物及多晶硅；之后再利用SPM溶液湿法清洗，去除所述光阻；接着在所述器件区域中的半导体器件上制备金属膜，并进行快速升温退火处理，形成金属硅化物；最后去除所述未反应成金属硅化物的金属膜。由于所述光阻的形状与未曝光的SAB光阻的形状一致，因而可在不损坏所述器件区域的同时，完全去除所述氧化物及多晶硅，从而避免了在去除所述未反应成金属硅化物的金属膜的过程中引入颗粒，提高了器件的性能。

主权项

一种制备金属硅化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底上已形成图案化的器件区域，且所述半导体衬底的边缘淀积有多晶硅及氧化物；在所述半导体衬底上涂上光阻，所述光阻覆盖所述器件区域，未覆盖所述淀积有多晶硅及氧化物的半导体衬底边缘；用氢氟酸与硝酸的混合溶液对所述半导体衬底边缘进行旋转喷射，对所述半导体衬底边缘进行湿法刻蚀，去除所述多晶硅及氧化物；去除所述光阻；在所述半导体衬底上淀积金属膜，所述金属膜覆盖所述器件区域中的器件的栅极结构以及源/漏极；将所述淀积金属膜的半导体衬底进行快速升温退火处理，使所述金属膜与硅反应，形成金属硅化物；用硫酸与双氧水混合溶液喷射去除所述未反应成金属硅化物的金属膜。