[发明专利]一种用于检测光刻过程中照明条件的结构及其检测方法有效
| 申请号： | 201010285285.X | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102402126A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 戴腾;吴浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于检测光刻过程中照明条件的结构及其检测方法，所述结构位于晶圆的切割区域，包括一排多个测试用浅沟槽隔离结构，所述测试用浅沟槽隔离结构的深度相同、侧壁的倾角相等、上截面宽度依次增加。所述检测方法首先利用上述结构获得正常光刻过程中照明条件下发生过刻蚀现象的实际区域，然后在待测试晶圆的切割区域形成上述结构，并在完成器件制作工艺后，检测过刻蚀现象发生的实际区域，与标准区域进行对比，从而利用过刻蚀现象对检测光刻过程中照明条件是否发生异常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 光刻 过程 照明 条件 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种用于检测光刻过程中照明条件的结构，位于晶圆的切割区域，其特征在于，包括一排多个测试用浅沟槽隔离结构，所述测试用浅沟槽隔离结构的深度相同、侧壁的倾角相等、上截面宽度依次增加。
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