[发明专利]双镶嵌结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010285728.5 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403301A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;胡敏达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双镶嵌结构及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一介质层和中间层；刻蚀所述中间层以形成图形化中间层；形成覆盖所述第一介质层和图形化中间层的第二介质层；刻蚀所述第二介质层、图形化中间层和第一介质层，以形成沟槽和通孔，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽的截面宽度大于通孔的截面宽度，所述沟槽暴露所述图形化中间层的表面，所述通孔暴露所述半导体衬底的表面。与现有技术相比，所述图形化中间层的面积较小，可最大程度的降低该图形化中间层对双镶嵌结构整体的介电常数值的影响，进而改善器件的操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一介质层和中间层；刻蚀所述中间层以形成图形化中间层；形成覆盖所述第一介质层和图形化中间层的第二介质层；刻蚀所述第二介质层、图形化中间层和第一介质层，以形成沟槽和通孔，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽的截面宽度大于通孔的截面宽度，所述沟槽暴露所述图形化中间层的表面，所述通孔暴露所述半导体衬底的表面。
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