[发明专利]制造磁畴数据存储装置的方法有效
| 申请号： | 201010286374.6 | 申请日： | 2008-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN101982894A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 林志庆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G11C11/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置的制造方法，该方法包括以下步骤：采用第一聚合物涂基底；使用图案化的主模压制第一聚合物；硬化第一聚合物；从第一聚合物分离主模；采用第二磁层涂第一聚合物；采用第一磁层涂第二磁层；采用第二聚合物涂第一磁层；使用图案化的主模压制第二聚合物；在第一磁层和第二聚合物上形成覆盖层；通过蚀刻去除覆盖层和第一磁层的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 数据 存储 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造磁畴数据存储装置的方法，所述方法包括：采用第一聚合物涂基底；使用图案化的主模压制所述第一聚合物；硬化第一聚合物；从第一聚合物分离主模；采用第二磁层涂所述第一聚合物；采用第一磁层涂所述第二磁层；采用第二聚合物涂所述第一磁层；使用所述图案化的主模压制所述第二聚合物；在所述第一磁层和所述第二聚合物上形成覆盖层；通过蚀刻去除所述覆盖层和第一磁层的上部。
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