[发明专利]半导体装置的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明的课题在于例如在500℃以上700℃以下的低温下，在整个晶片层叠方向控制原子氧O的浓度，且在整个晶片层叠方向使氧化膜的膜厚分布均等化。本发明提供一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：从处理室内的多片衬底排列的衬底排列区域的一端侧通过混合部供给含氧气体和含氢气体、且使其朝另一端侧流动，同时从与处理室内的衬底排列区域相对应的途中的多处供给含氢气体、且使其朝另一端侧流动，由此对多片衬底进行氧化处理，其中，使含氧气体和含氢气体在混合部内反应，生成含有原子氧的氧化种，在从混合部内向处理室内喷射氧化种的喷出口位置处使氧化种的浓度最大。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下工序：将多片衬底送入处理室内的工序；氧化处理所述多片衬底的工序，即，从所述处理室内的所述多片衬底排列的衬底排列区域的一端侧通过混合部供给含氧气体和含氢气体且使其朝另一端侧流动，同时从与所述处理室内的所述衬底排列区域相对应的途中的多处供给含氢气体且使其朝所述另一端侧流动，由此将所述多片衬底进行氧化处理；将所述氧化处理后的所述多片衬底从所述处理室内运出的工序；其中，在所述氧化处理工序中，将所述混合部内及所述处理室内的温度设定为500℃以上700℃以下，同时将所述混合部内的压力设定为小于大气压的第1压力，将所述处理室内的压力设定为小于所述第1压力的第2压力，在所述混合部内使含氧气体和含氢气体反应，生成含有原子氧的氧化种，且在从所述混合部内向所述处理室内喷射所述氧化种的喷出口位置处使所述氧化种的浓度最大。