[发明专利]半导体器件以及形成集成无源器件的方法有效
| 申请号： | 201010286650.9 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102024684A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件以及形成集成无源器件的方法。IPD半导体器件具有形成在半导体小片上并且电连接到该半导体小片的电容器。密封剂被沉积在所述电容器上以及所述半导体小片周围。通过形成第一导电层、在所述第一导电层上形成第一绝缘层以及在所述第一绝缘层上形成第二导电层而在所述密封剂的第一表面上形成第一互连结构。所述第二导电层具有远离所述半导体小片的占用面积至少50微米在所述密封剂上被形成并且被缠绕以用作电感器的部分。所述第二导电层的所述部分通过所述第一导电层电连接到所述电容器。第二互连结构在所述密封剂层的第二表面上被形成。在所述密封剂内在所述第一和第二互连结构之间形成导体柱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 集成 无源 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，其包括：提供具有电阻率的半导体小片；在所述半导体小片上形成第一电容器，所述第一电容器电连接到所述半导体小片；将密封剂沉积在所述第一电容器上以及所述半导体小片周围，所述密封剂具有比所述半导体小片的电阻率高的电阻率；以及通过以下步骤在所述密封剂的第一表面上形成第一互连结构：(a)形成电连接到所述第一电容器的第一导电层，(b)在所述第一导电层上形成第一绝缘层，以及(c)在所述第一绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层具有远离所述半导体小片的占用面积预先确定的距离在所述密封剂上被形成并且被缠绕以用作电感器的部分，所述第二导电层的所述部分通过所述第一导电层电连接到所述第一电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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