[发明专利]NANDFLASH参数探测方法有效
| 申请号： | 201010286865.0 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102402485A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 姜迪辉;易若翔;胡胜发 | 申请（专利权）人： | 安凯(广州)微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/06 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 宣国华 |
| 地址： | 510663 广东省广州市广州高新技术产业开发*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NANDFLASH参数探测方法，包括以下步骤：(A)探测所述NANDFLASH中片选数量、探测所述每个片选中的块数量、探测所述每个块中页面数量和每个页面大小参数；(B)根据步骤(A)得到的片选数量、块数量、页面数量和页面大小参数计算所述NANDFLASH的总容量参数。本方法能够根据NANDFLASH样片及其使用环境来自动获取NANDFLASH基本参数，而无需该NANDFLASH的资料说明书(datasheet)。 | ||
| 搜索关键词： | nandflash 参数 探测 方法 | ||
【主权项】：
一种NANDFLASH参数探测方法，其特征在于包括以下步骤：(A)探测所述NANDFLASH中片选数量、所述每个片选中的块数量、所述每个块中页面数量和每个页面大小参数；(B)根据步骤(A)得到的片选数量、块数量、页面数量和页面大小参数计算所述NANDFLASH的总容量参数。
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