[发明专利]等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法

摘要

本发明提供相比以往能够降低等离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法。该方法包括下述工序：回收等离子蚀刻装置用硅制零件的硅制废料的工序；根据所回收的硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据在测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将硅制废料、硅原料和杂质以在投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。

主权项

一种等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，该等离子蚀刻装置用硅制零件配置在用于收容基板并对该基板进行蚀刻处理的等离子蚀刻装置的处理室内部，其特征在于，该方法包括：回收等离子蚀刻装置用硅制零件和半导体晶圆用硅锭中任一个的硅制废料的工序；根据所回收的上述硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据上述测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定上述硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将上述硅制废料、硅原料和杂质以在上述投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。