[发明专利]双极型半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201010287596.X | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102054859A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策;F·J·桑托斯罗德里格斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及双极型半导体器件和制造方法。提供具有空穴电流再分布结构(10)的双极型半导体器件(100)和n沟道IGBT(100)。n沟道IGBT(100)具有：p掺杂的主体区(3)，具有第一空穴迁移率；以及子区(10)，其完全嵌在主体区(3)内且具有比第一空穴迁移率低的第二空穴迁移率。而且，提供一种用于形成双极型半导体器件(100)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双极型半导体器件(100)，包括：半导体衬底(20)，包括第一表面(15)、相对表面(16)、被布置在第一表面(15)和相对表面(16)之间的第一和第二pn结(11、12)；第一金属化部(7)，被布置在第一表面(15)上；第二金属化部(8)，被布置在相对表面(16)上；以及紧挨着第一pn结(11)布置的绝缘栅电极(9)；半导体衬底(20)还包括空穴电流再分布结构(10)，该空穴电流再分布结构(10)完全嵌入在半导体衬底(20)中并且布置在第一金属化部(7)和第一pn结(11)之间。
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