[发明专利]电子束和酸洗提纯多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201010288512.4 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101935041A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 战丽姝;董伟;谭毅;李国斌 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 陈红燕 |
| 地址： | 116025 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子束和酸洗提纯多晶硅的方法，包括下述步骤：首先取杂质含量高的硅料置于电子束熔炼炉中，进行电子束熔炼去除硅中挥发性杂质磷，之后快速凝固形成硅锭，硅锭中将形成很多细小的晶粒，金属杂质富集在晶粒的晶界处，最后将硅锭沿晶界破碎，使得晶界充分暴露出来，后进行酸洗去除金属杂质，得到磷和金属杂质含量较低的硅锭。本发明将电子束熔炼去除挥发性杂质磷和酸洗去除晶界处金属杂质及进一步去除磷相结合，尤其是利用了电子束熔炼后快速凝固产生细晶的效应，高效、快速的完成了去除磷和金属杂质的过程，从而满足太阳能级硅的使用要求；具有提纯效率高，技术稳定，周期短，生产效率高，能耗小，成本低的显著特点。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 酸洗 提纯 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束和酸洗提纯多晶硅的方法，包括如下步骤：(1)电子束熔炼硅料去除硅中挥发性杂质磷；(2)除磷后的液态硅快速凝固形成硅锭，所述硅锭中形成细小的晶粒，同时金属杂质在所述晶粒的晶界处富集；(3)将所述硅锭沿晶界破碎，得到硅粉；(4)酸洗去除金属杂质，得到磷和金属杂质含量较低的硅锭，即磷含量低于0.00004％，金属杂质总含量低于0.0005％的硅粉。
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