[发明专利]具有内联机结构的三维叠层元件及其制造方法有效
申请号: | 201010289323.9 | 申请日: | 2010-09-20 |
公开(公告)号: | CN102088019A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/52;H01L27/10;H01L27/115;H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了具有内联机结构的三维叠层元件,该具有内联机结构的三维叠层元件具有小的占据面积,用以连接多层级元件中的上层电路结构与其它层级的电路结构。此外,本方面还提供一种具有高效率且低成本的制造具有内联机结构的三维叠层元件的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 联机 结构 三维 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有内联机结构的三维叠层元件,其特征在于,包括:包括多个层级的三维结构,包括层级0至N,其中N至少为2,当(i)等于0至N‑1时,其中层级(i)包括在纵向上具有长度以及在横向上具有宽度的接地区(i),以及当(i)等于1至N时,其中层级(i)位于层级(i‑1)上方且具有开口(i),以及当(i)等于1至N‑1时,所述开口(i)邻近所述层级(i)上的所述接地区(i),以及当(i)大于1时,所述层级(i)在所述层级(i‑1)上的所述接地区(i‑1)上方延伸,并在所述层级(i‑1)的所述开口(i‑1)上方延伸,所述开口(i)具有远程纵向侧壁与近端纵向侧壁,所述开口(i)的所述远程纵向侧壁与所述层级(i‑1)中的所述开口(i‑1)的所述远程纵向侧壁对准,以及所述开口(i)的所述近端纵向侧壁定义开口(i)的长度,使所述开口(i)的所述长度至少等同于所述接地区(i‑1)的长度加上所述开口(i‑1)的长度,当(i)大于1时,所述开口(i)的横向侧壁与所述层级(i‑1)的所述开口(i‑1)的所述横向侧壁对准,以及所述开口(i)的所述横向侧壁定义所述开口(i)在所述接地区(i‑1)上方的宽度,使所述开口的所述宽度至少等同于所述接地区(i‑1)的宽度;以及绝缘填充物,位于层级1至N的所述开口中,以及导体,在所述开口内的所述绝缘填充物中延伸,以接触位于层级0至N‑1上的所述接地区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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