[发明专利]阻气涂层和阻气膜无效

专利信息
申请号: 201010289856.7 申请日: 2010-09-16
公开(公告)号: CN102021532A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 高桥年哉;千贺武志;殿原浩二 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/42;B32B27/06;H01L21/318;H05B33/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柳春琦
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种阻气涂层和阻气膜。阻气涂层基于氮化硅,并且具有1至1.4的N/Si组成比和10至30原子%的氢含量。在所述涂层的傅里叶变换红外吸收光谱中,由Si-H伸缩振动引起的吸收峰出现在2170至2200cm-1的范围内的波数处,并且在由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近的由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.03至0.15。阻气膜包括沉积在玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜上的阻气涂层。
搜索关键词: 涂层 阻气膜
【主权项】:
一种基于氮化硅的阻气涂层,其具有:1至1.4的N/Si组成比,和10至30原子%的氢含量,其中:在所述涂层的傅里叶变换红外吸收光谱中,由Si‑H伸缩振动引起的吸收峰出现在2170至2200cm‑1的范围内的波数处,并且由Si‑H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si‑H)与在840cm‑1附近由Si‑N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si‑N)之间的比率[I(Si‑H)/I(Si‑N)]为0.03至0.15。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010289856.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top