[发明专利]阻气涂层和阻气膜无效
申请号: | 201010289856.7 | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN102021532A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 高桥年哉;千贺武志;殿原浩二 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/42;B32B27/06;H01L21/318;H05B33/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种阻气涂层和阻气膜。阻气涂层基于氮化硅,并且具有1至1.4的N/Si组成比和10至30原子%的氢含量。在所述涂层的傅里叶变换红外吸收光谱中,由Si-H伸缩振动引起的吸收峰出现在2170至2200cm-1的范围内的波数处,并且在由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近的由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.03至0.15。阻气膜包括沉积在玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜上的阻气涂层。 | ||
搜索关键词: | 涂层 阻气膜 | ||
【主权项】:
一种基于氮化硅的阻气涂层,其具有:1至1.4的N/Si组成比,和10至30原子%的氢含量,其中:在所述涂层的傅里叶变换红外吸收光谱中,由Si‑H伸缩振动引起的吸收峰出现在2170至2200cm‑1的范围内的波数处,并且由Si‑H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si‑H)与在840cm‑1附近由Si‑N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si‑N)之间的比率[I(Si‑H)/I(Si‑N)]为0.03至0.15。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的