[发明专利]SONOS工艺中5伏PMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201010290313.7 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102412293A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;钱文生;董金珠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS工艺中5伏PMOS器件，PMOS器件的P型源漏区的在靠近浅槽场氧一侧的结深要比靠近N型沟道区一侧的结深要深。本发明还公开了一种SONOS工艺中5伏PMOS器件的制造方法。本发明能改善PMOS器件的源/漏PN结的形貌，从而能提高5伏PMOS器件的击穿电压，并进一步能提高SONOS闪存的信息擦除和写入的操作电压、提高操作速度、改善SONOS闪存的性能、减少SONOS闪存的测试时间、节约测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 工艺 pmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS工艺中5伏PMOS器件，形成于硅衬底上，有源区通过浅槽场氧隔离，PMOS器件包括：形成于所述有源区上的栅极结构，形成于所述栅极结构两侧、所述有源区中的P型源漏区、以及形成于所述栅极结构底部、所述P型源漏区中间的所述有源区中的N型沟道区；其特征在于：所述P型源漏区的在靠近所述浅槽场氧一侧的结深要比靠近所述N型沟道区一侧的结深要深。
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