[发明专利]固体摄像器件、其制造方法及包括它的摄像装置有效

专利信息
申请号: 201010291951.0 申请日: 2010-09-26
公开(公告)号: CN102034839A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 正垣敦;山村育弘 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 武玉琴;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及固体摄像器件、包括该固体摄像器件的摄像装置及固体摄像器件的制造方法。该固体摄像器件包括:半导体基板以及多个像素电路,多个像素电路中的每一个包括:光电转换元件;靠近光电转换元件形成的第一隐埋栅极电极;远离光电转换元件和第一隐埋栅极电极中每一个形成的第二隐埋栅极电极;形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间的第一扩散层;以及远离所述第一扩散层形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间、与第一扩散层重叠的第二扩散层,其中累积在光电转换元件中的电荷通过第一扩散层传输到第二扩散层。根据本发明,能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。
搜索关键词: 固体 摄像 器件 制造 方法 包括 装置
【主权项】:
一种固体摄像器件,其包括:半导体基板;以及形成在所述半导体基板上的多个像素电路,形成在所述半导体基板上的所述多个像素电路中的每一个包括:光电转换元件;第一隐埋栅极电极,其靠近于所述光电转换元件形成;第二隐埋栅极电极,其远离所述光电转换元件和所述第一隐埋栅极电极中的每一个形成;第一扩散层,其形成在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极之间;以及第二扩散层,其远离所述第一扩散层形成在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极之间,与所述第一扩散层重叠,其中,累积在所述光电转换元件中的电荷通过所述第一扩散层传输到所述第二扩散层。
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