[发明专利]固体摄像器件、其制造方法及包括它的摄像装置有效
申请号: | 201010291951.0 | 申请日: | 2010-09-26 |
公开(公告)号: | CN102034839A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 正垣敦;山村育弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及固体摄像器件、包括该固体摄像器件的摄像装置及固体摄像器件的制造方法。该固体摄像器件包括:半导体基板以及多个像素电路,多个像素电路中的每一个包括:光电转换元件;靠近光电转换元件形成的第一隐埋栅极电极;远离光电转换元件和第一隐埋栅极电极中每一个形成的第二隐埋栅极电极;形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间的第一扩散层;以及远离所述第一扩散层形成在第一隐埋栅极电极和第二隐埋栅极电极之间、与第一扩散层重叠的第二扩散层,其中累积在光电转换元件中的电荷通过第一扩散层传输到第二扩散层。根据本发明,能够在尽可能抑制光电转换元件(例如光电二极管)的面积减小的同时提高性能。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 包括 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,其包括:半导体基板;以及形成在所述半导体基板上的多个像素电路,形成在所述半导体基板上的所述多个像素电路中的每一个包括:光电转换元件;第一隐埋栅极电极,其靠近于所述光电转换元件形成;第二隐埋栅极电极,其远离所述光电转换元件和所述第一隐埋栅极电极中的每一个形成;第一扩散层,其形成在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极之间;以及第二扩散层,其远离所述第一扩散层形成在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极之间,与所述第一扩散层重叠,其中,累积在所述光电转换元件中的电荷通过所述第一扩散层传输到所述第二扩散层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010291951.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种取冰方便快速的制冰盒
- 下一篇:全玻璃棒式内芯超导太阳能集热管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的