[发明专利]薄膜形成方法无效
| 申请号： | 201010292495.1 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102412117A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;胡亚兰;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜形成方法，包括：提供晶片和薄膜形成设备，所述薄膜形成设备用于在所述晶片上形成具有目标厚度的薄膜；将所述薄膜分为至少2个子薄膜，所述子薄膜的数目为偶数；利用所述薄膜形成设备在所述晶片上形成第一子薄膜；利用所述薄膜形成设备在所述第一子薄膜上形成第二子薄膜，所述第二子薄膜的形貌与第一子薄膜的形貌相匹配；利用所述薄膜形成设备在所述第二子薄膜上形成第三子薄膜；利用所述薄膜形成设备在所述第三子薄膜上形成第四子薄膜，所述第三子薄膜和第四子薄膜的形貌相匹配；依次类推，直至形成目标厚度的薄膜。本发明形成的薄膜厚度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：提供晶片和薄膜形成设备，所述薄膜形成设备用于在所述晶片上形成具有目标厚度的薄膜；将所述薄膜分为至少4个子薄膜，且所述子薄膜的数目为偶数；利用所述薄膜形成设备在所述晶片上形成第一子薄膜；利用所述薄膜形成设备在所述第一子薄膜上形成第二子薄膜，所述第二子薄膜的形貌与第一子薄膜的形貌相匹配；利用所述薄膜形成设备在所述第二子薄膜上形成第三子薄膜；利用所述薄膜形成设备在所述第三子薄膜上形成第四子薄膜，所述第三子薄膜和第四子薄膜的形貌相匹配；依次类推，直至形成目标厚度的薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
