[发明专利]相变存储器底部电极的制作方法有效
| 申请号： | 201010292502.8 | 申请日： | 2010-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102412367A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李凡;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相变存储器环形电极的制作方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层、及位于第一绝缘层中的导电插塞；在导电插塞上形成柱状体，所述柱状体包括金属柱状体以及位于金属柱状体上的绝缘柱状体；在柱状体未覆盖的第一绝缘层上形成第二绝缘层；所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述柱状体的厚度；去除绝缘柱状体，形成第二绝缘层和金属柱状体围成的开口；在所述开口中形成绝缘侧墙；以所述绝缘侧墙为掩膜蚀刻所述金属柱状体，形成凹形金属件；向所述凹形金属件中填充绝缘材料，形成第三绝缘层；通过平坦化技术去除绝缘侧墙。本发明相变存储器环形电极的制作方法，减小了制作难度。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 底部 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一绝缘层、以及位于第一绝缘层中的导电插塞；在导电插塞上形成柱状体，所述柱状体包括金属柱状体以及位于金属柱状体上的绝缘柱状体；在柱状体未覆盖的第一绝缘层上形成第二绝缘层；所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述柱状体的厚度；去除绝缘柱状体，形成第二绝缘层和金属柱状体围成的开口；在所述开口中形成绝缘侧墙；以所述绝缘侧墙为掩膜蚀刻所述金属柱状体，形成凹形金属件；向所述凹形金属件中填充绝缘材料，形成第三绝缘层；通过平坦化技术去除绝缘侧墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010292502.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
