[发明专利]一种Ag/Ag2S核/壳纳米结构电阻开关材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010292895.2 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102009172A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈代荣;陈波;焦秀玲 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | B22F1/02 | 分类号： | B22F1/02;B22F9/24 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ag/Ag2S核/壳纳米结构电阻开关材料及其制备方法。该核/壳纳米结构是以Ag为内核，Ag2S为外壳，形貌为球形或近似球形，平均直径为0.01～5.0微米，Ag2S壳层厚度为2～100纳米。制备方法是于乙二醇/PVP体系中加入硝酸银反应；加入硫粉继续反应；将反应沉淀物用乙醇洗涤后烘干，即得到Ag/Ag2S核/壳纳米晶。本发明提供的Ag/Ag2S核/壳纳米晶，可用作电阻开关材料构筑Ag2S电阻开关，制备简便、经济，适于工业放大及实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ag sub 纳米 结构 电阻 开关 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ag/Ag2S核/壳纳米结构电阻开关材料，其特征在于，该纳米核/壳结构是以Ag为内核，Ag2S为外壳，形貌为球形或近似球形，平均直径0.01～5.0微米，Ag2S壳层厚度为2～100纳米。
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