[发明专利]一种硅基MOS管控制发光二极管的器件、阵列及制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种使用硅基MOS管控制发光二极管的半导体器件、阵列及制备方法。本半导体器件包括至少两个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个硅基MOS晶体管和一个发光二极管。本发明将发光二极管及硅基MOS晶体管集成在同一个芯片上，使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述半导体器件还可以构成一个半导体器件阵列。采用本发明技术制造的投影机具有体积小、功耗低、可便携性等优点，而且，集成电路芯片的使用，使得投影机系统大大简化，降低了生产成本，并且可以大大提高像素及亮度。

主权项

一种硅基MOS晶体管控制发光二极管的半导体器件，其特征在于包括至少两个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个硅基MOS晶体管和一个发光二极管，发光二极管记为LED，其中：所述LED包括至少一个发光层、位于所述发光层之上的p型区域、位于所述发光层之下的n型区域；所述硅基MOS晶体管包括至少一个源区、一个漏区、一个衬底区和一个栅区；所述硅基MOS晶体管的衬底区位于发光二极管的p型区域之上，通过SiO2实现电学隔离；所述硅基MOS晶体管的源极或漏极与所述的LED的p型区域通过金属连接。