[发明专利]集成半导体电感器及其方法

摘要

公开了一种集成半导体电感器及其方法。在一个实施例中，覆盖半导体衬底形成多层电感器。该集成半导体电感器包括：半导体衬底；覆盖半导体衬底至少一部分的第一多层电感器，该第一多层电感器具有第一端子和第二端子，该第一多层电感器还具有覆盖半导体衬底该部分的第一导体、覆盖第一导体的至少一部分以在第一导体和第二导体之间形成磁耦合的第二导体、设置在第一导体和第二导体之间的第一电介质，其中第一导体连接到第一多层电感器的第一端子，第二导体连接到第一多层电感器的第二端子；以及延伸通过第一电介质的第一连接，用以形成第一导体和第二导体之间的电接触。该多层电感器在半导体管芯的给定区域内提供了更大的电感量，从而降低了成本。

主权项

一种集成半导体滤波器，包括：覆盖半导体衬底的表面的第一部分的第一多层电感器，该第一多层电感器包括覆盖半导体衬底在第一方向上延伸的第一电感器元件和覆盖第一电感器元件在不同的方向上延伸的第二电感器元件，以形成第一和第二电感器元件之间的磁耦合，其中第一电感器元件电连接到第二电感器元件，并且其中第二电感器元件具有公共连接端子；与第一电感器串联耦合的第一电容器；以及覆盖半导体衬底的表面的第二部分的并且公共耦合到第一多层电感器的第二多层电感器，该第二多层电感器具有覆盖半导体衬底的第二部分并且放置在第一电感器元件附近的第三电感器元件、覆盖第三电感器元件的至少一部分以在第三电感器元件和第四电感器元件之间形成磁耦合的第四电感器元件以及设置在第三电感器元件与第四电感器元件之间的第一电介质，其中第四电感器元件电连接到第三电感器元件，并且其中第四电感器元件的公共连接端子与第二电感器元件的公共连接端子公共耦合。