[发明专利]可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置

摘要

本发明涉及一种可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，由可控硅、ESP保护及信号限幅模块、运算放大器及窗口比较器模块、单片机处理器、驱动信号隔离放大模块及驱动信号整形电路组成；本发明将可控硅端电压进行电阻分压、防雷保护、采样，获得端电压的信号波形，通过运算放大器稳定的端电压信号，将该信号通过窗口比较器获取电压的极小值点，将该信号送入单片机进行信号修整，延时，获取准确的电压极值点，生成可控硅触发信号，触发信号经信号锁存器，送给放大电路，经过放大的触发信号，经过电磁隔离，再经过信号修整触发可控硅。

主权项

可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，其特征在于：由可控硅、ESP保护及信号限幅模块、运算放大器及窗口比较器模块、单片机处理器、驱动信号隔离放大模块及驱动信号整形电路组成；可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置并联在容性无功补偿装置电路中可控硅开关的两端，在可控硅的控制保护电路中连接有两个采样电阻RS；采样电阻RS的两个引出端与ESP保护及信号限幅模块输入端连接；ESP保护及信号限幅模块的输出端与运算放大器及窗口比较器模块的输入端连接；运算放大器及窗口比较器模块的输出端与单片机处理器的输入端连接；单片机处理器的输出端与驱动信号隔离放大模块的输入端连接；驱动信号隔离放大模块的输出端与驱动信号整形电路的输入端连接；驱动信号整形电路输出端与可控硅的触发端连接。